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Photo Diodes
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OE-CPT23A1
안정적인 광출력의 레이저이오드 특성을 기반으로 고객의 실장에 맞게 400~950nm의 다양한 파장의 제품을 제공합니다.
■ MOCVD grown 650nm band InGaAIP laser diode
■ Features
- Visible Light Output: λp=660nm
- Optical Power Output: 50mW CW
- Package Type: TO-18(5.6mmφ)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
■ Applications
- Industrial & Safety Light Source
- Medical Skin Care
- Distance & Pattern Detection
Product No
| Maximum Ratings | Electro-Optical Characteristics | |||||||||
Reverse Voltage V [V] | Threshold Current Ith [mA] | Operating Voltage Vop [V] | Operating Current Iop [mA] | Monitor Current Im [mA] | Peak Wavelength λp [nm] | Beam Divergence | |||||
Laser Diode | Photo Diode | Typ. | Po[mW] | Typ. | Po[mW] | θll [deg.] | θ⊥ [deg.] | ||||
OE-CPT23A1 | 2 | 30 | 45 | 2.6 | 90 | 50 | 0.3 | 50 | 660 | 9 | 20 |
OE-CPT23A2 | 2 | 30 | 12 | 1.8 | 35 | 10 | 0.4 | 10 | 905 | 10 | 35 |
■ Package